IQD016N08NM5ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQD016N08NM5ATMA1 par Infineon et IQDH35N03LM5SCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQD016N08NM5ATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,68 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 323 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.6 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
Boîtier PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 Power-MOSFET OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
Niveau MSL — 1 (unlimited)
Marking — IQDH35N03LM5S

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