IQD016N08NM5ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQD016N08NM5ATMA1 por Infineon e IQDH35N03LM5SCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQD016N08NM5ATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,68 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 323 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.6 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
Encapsulamento PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 Power-MOSFET OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Status RoHS Compliant Compliant
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
Nível MSL — 1 (unlimited)
Marking — IQDH35N03LM5S

Fichas técnicas e recursos

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