IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 par Infineon et IQDH35N03LM5SCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,84 | $2,05 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | — |
| Boîtier | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| Nombre de broches | 9 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |