IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQDH88N06LM5CGSCATMA1 par Infineon et IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,31 | $1,84 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | 42 A | — |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | 447 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | 0.86 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 3 W | — |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2 V (typ) |
| Gate Charge Qg typical | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (TJ) | — |
| Boîtier | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 9 (with exposed pad) | 9 |
| Cooling | Dual-side cooling capable | Dual-side exposed pad (top + bottom) |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 789 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |