IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 比較
詳細な並列比較: IQDH88N06LM5CGSCATMA1 メーカー: Infineon および IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.31 | $1.84 |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | 42 A | — |
| 連続ドレイン電流（TC=25°C） | 447 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | 0.86 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 3 W | — |
| 消費電力（TC=25°C） | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2 V (typ) |
| Gate Charge Qg typical | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] | — |
| 動作温度範囲 | -55°C to +175°C (TJ) | — |
| パッケージ | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| ピン数 | 9 (with exposed pad) | 9 |
| Cooling | Dual-side cooling capable | Dual-side exposed pad (top + bottom) |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 789 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |