IQDH88N06LM5SCATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQDH88N06LM5SCATMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQDH88N06LM5SCATMA1 - 60V 447A 0.7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQDH88N06LM5SCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQDH88N06LM5SCATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,55 | $0,41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IQDH88N06LM5SCATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) | Trench MOSFET, silicon |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 42 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 447 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 0.7 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 76 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 11 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 2 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 95 pF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Boîtier | PG-WHSON-8-U02 (source-down, dual-side cooling) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |
| Niveau MSL | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |