IQE004NE1LM7CGATMA1 vs ISC0805NLSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE004NE1LM7CGATMA1 par Infineon et ISC0805NLSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IQE004NE1LM7CGATMA1 | ISC0805NLSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,06 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Technology | N-Channel Trench Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 15 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, TA=25C) | 58 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 379 A | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 89 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.45 mOhm at VGS=10 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Boîtier | PG-TTFN-9-3 (surface mount) | PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Packaging | Tape & Reel (CGATMA1 suffix) | — |
| Polarization | N-Channel | — |
| Product Family | — | OptiMOS™ 5 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 71 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 74 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.3 V |
| Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V | — | 16 nC |
| Input Capacitance Ciss | — | 2.2 nF |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | — | 23 pF |
| Output Capacitance Coss | — | 360 pF |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C |