IQE012N03LM5CGATMA1 vs IQE031N08LM6CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE012N03LM5CGATMA1 par Infineon et IQE031N08LM6CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-Ch MOSFET 127A | Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQE012N03LM5CGATMA1 | IQE031N08LM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,38 | $0,74 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 34 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 224 A | — |
| On-Resistance RDS(on), typ | 1.20 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| Technology / Process | OptiMOS 5 trench | — |
| Boîtier | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) | PG-WHTFN-9 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (logic-level compatible) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon PQFN) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 (40 V to 100 V) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS max) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 127 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10 V] |
| Gate Drive Level | — | Logic-level |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C (junction, typical for OptiMOS 6) |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| Lead-Free | — | Yes |