IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs IQE065N10NM5CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE012N03LM5CGSCATMA1 par Infineon et IQE065N10NM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQE012N03LM5CGSCATMA1 | IQE065N10NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,55 | $1,28 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 5 trench-gate |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 34 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | 224 A | — |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | 1.15 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ, per Merlin listing) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Boîtier | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | — | 85 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 13 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 6.5 mOhm |
| Power Dissipation at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC | — | 100 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C |