IQE013N04LM6ATMA1 vs IQE012N03LM5CGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE013N04LM6ATMA1 par Infineon et IQE012N03LM5CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE013N04LM6ATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,71 $1,38
Technology OptiMOS N-channel trench MOSFET —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 205 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 107 W 107 W
On-Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typ 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) —
Boîtier PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate)
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Source-Down Topology Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 34 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 224 A
On-Resistance RDS(on), typ — 1.20 mOhm
Gate-Source Threshold VGS(th) — 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level)
Technology / Process — OptiMOS 5 trench
Température de fonctionnement — -55 C to +150 C (TJ)
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible)
Niveau MSL — 1

Fiches techniques et ressources

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