IQE013N04LM6ATMA1 vs IQE012N03LM5CGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE013N04LM6ATMA1 por Infineon e IQE012N03LM5CGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQE013N04LM6ATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,71 $1,38
Technology OptiMOS N-channel trench MOSFET —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 205 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 107 W 107 W
On-Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typ 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) —
Encapsulamento PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate)
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Source-Down Topology Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 34 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 224 A
On-Resistance RDS(on), typ — 1.20 mOhm
Gate-Source Threshold VGS(th) — 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level)
Technology / Process — OptiMOS 5 trench
Temperatura de operação — -55 C to +150 C (TJ)
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible)
Nível MSL — 1

Fichas técnicas e recursos

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