IQE013N04LM6ATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE013N04LM6ATMA1 par Infineon et IQE220N15NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQE013N04LM6ATMA1 | IQE220N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,71 | $0,84 |
| Technology | OptiMOS N-channel trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 205 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | 4.6 V (typ at 46 µA) |
| Boîtier | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down | PG-TSON-8-5 (Source-Down) |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Source-Down Topology | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 44 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 22 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 14.4 nC at 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 14 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 340 pF |
| Configuration de sortie | — | Single N-Channel |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Niveau MSL | — | 1 |