IQE013N04LM6ATMA1 vs IQEH68NE2LM7UCGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE013N04LM6ATMA1 par Infineon et IQEH68NE2LM7UCGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ ActifInfineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQE013N04LM6ATMA1 | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,71 | $1,35 |
| Technology | OptiMOS N-channel trench MOSFET | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 205 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | — |
| Boîtier | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down | PG-TTFN-9-3 (surface mount) |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (per distributor listing) |
| Source-Down Topology | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | — | 47 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | — | 338 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | — | 130 W |
| Gate Threshold Voltage Type | — | Logic-level (per OptiMOS 7 family) |
| On-Resistance Family | — | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Packaging | — | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) |