IQE018N06NM6CGATMA1 vs IQE008N03LM5CGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE018N06NM6CGATMA1 par Infineon et IQE008N03LM5CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE018N06NM6CGATMA1 IQE008N03LM5CGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,21 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V OptiMOS 5
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 178 A —
Continuous Drain Current (I_D, Ta) 25 A —
R_DS(on) max (V_GS=10 V) 1.8 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.3 V (logic-level compatible) —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 125 W —
Boîtier PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) PG-TTFN-9-1 (8-PowerTDFN) with wettable flanks
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55C to +150C (junction)
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 6 —
RoHS Compliance Compliant —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 253 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.85 mOhm (typ) @ 20 A
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 64 nC (typ)
Input Capacitance (Ciss) at VDS=15V — 5700 pF (typ)
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss typical]
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 89 W
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant per Infineon product page)
AEC-Q100 Automotive — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification status]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis