IQE018N06NM6CGATMA1 vs IQE018N06NM6SCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE018N06NM6CGATMA1 par Infineon et IQE018N06NM6SCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IQE018N06NM6CGATMA1 | IQE018N06NM6SCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,21 | $0,98 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 178 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 25 A | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | 1.8 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.3 V (logic-level compatible) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | — |
| Boîtier | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) | PG-WHSON-8-1 (5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (junction) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Part Family | — | OptiMOS 6 60 V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 178 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 1.8 mΩ at VGS=10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | 3.3 V |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 125 W |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |