IQE018N06NM6SCATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE018N06NM6SCATMA1 par Infineon et ISZ072N06NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IQE018N06NM6SCATMA1 | ISZ072N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,98 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 60 V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 178 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 1.8 mΩ at VGS=10 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | 3.3 V | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 125 W | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Boîtier | PG-WHSON-8-1 (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +175C ( Tj max 175C ) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 6 60V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 57 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 12.7 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typ) |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Technology | — | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Niveau MSL | — | 1 |