IQE020N04LM6CGATMA1 vs IPT067N20NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE020N04LM6CGATMA1 par Infineon et IPT067N20NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE020N04LM6CGATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE020N04LM6CGATMA1 IPT067N20NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,75 $4,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 166 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 107 W —
On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V 2.0 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
Boîtier PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C -55C to +150C (junction)
Technology OptiMOS 6, TrenchFET-class Trench-gate OptiMOS 6 silicon
Configuration Single N-Channel, source-down Single N-channel
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Product Family — OptiMOS 6
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 137 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
On-Resistance RDS(on) typ — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free — Yes

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