IQE022N06LM5CGSCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE022N06LM5CGSCATMA1 par Infineon et IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IQE022N06LM5CGSCATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,05 | $1,84 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (TC) | 151 A | — |
| Continuous Drain Current (TA) | 24 A | — |
| Maximum Power Dissipation (TC) | 100 W | — |
| Maximum Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | 2.2 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V (typ) | — |
| Boîtier | PG-WHTFN-9 (5x6 mm) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| Nombre de broches | 9 (PG-WHTFN-9) | 9 |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 789 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |