IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQE022N06LM5CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE065N10NM5CGSCATMA1 par Infineon et IQE022N06LM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IQE065N10NM5CGSCATMA1 | IQE022N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,28 | $2,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 13 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 6.5 mOhm | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 2.3 V (typ) |
| Boîtier | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-WHTFN-9 (5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C | -55C to +150C |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 151 A |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 24 A |
| Maximum Power Dissipation (TC) | — | 100 W |
| Maximum Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | — | 2.2 mOhm |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 |
| Nombre de broches | — | 9 (PG-WHTFN-9) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |