IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQE022N06LM5CGSCATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQE065N10NM5CGSCATMA1 от Infineon и IQE022N06LM5CGSCATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ АктивенInfineon
IQE022N06LM5CGSCATMA1 - 60V 151A OptiMOS 5 N-FET | Infineon
IQE022N06LM5CGSCATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IQE065N10NM5CGSCATMA1 | IQE022N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,28 | $2,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 13 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 6.5 mOhm | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 2.3 V (typ) |
| Корпус | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-WHTFN-9 (5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +150 C | -55C to +150C |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 151 A |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 24 A |
| Maximum Power Dissipation (TC) | — | 100 W |
| Maximum Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | — | 2.2 mOhm |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 |
| Число выводов | — | 9 (PG-WHTFN-9) |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |