IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQE220N15NM5CGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE065N10NM5CGSCATMA1 par Infineon et IQE220N15NM5CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,28 $1,55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 13 A —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 6.5 mOhm —
Power Dissipation at TA 2.5 W —
Power Dissipation at TC 100 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Boîtier PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-TTFN-9-3 (Source-Down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench-gate Trench MOSFET, OptiMOS 5
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C -55C to +175C (estimated from Tj max)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — [DATA_NEEDED: ID at Ta]
On-State Resistance RDS(on) max — 22 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 100 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Nombre de broches — 9 (TTFN)

Fiches techniques et ressources

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