IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQE220N15NM5CGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE065N10NM5CGSCATMA1 por Infineon e IQE220N15NM5CGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,28 $1,55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 13 A —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 6.5 mOhm —
Power Dissipation at TA 2.5 W —
Power Dissipation at TC 100 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Encapsulamento PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-TTFN-9-3 (Source-Down)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench-gate Trench MOSFET, OptiMOS 5
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C -55C to +175C (estimated from Tj max)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — [DATA_NEEDED: ID at Ta]
On-State Resistance RDS(on) max — 22 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 100 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Contagem de pinos — 9 (TTFN)

Fichas técnicas e recursos

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