IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IPTC039N15NM5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE220N15NM5CGSCATMA1 par Infineon et IPTC039N15NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ ActifInfineon
IPTC039N15NM5ATMA1 - 150V 190A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | IPTC039N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,18 | $4,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 150 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | 7 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | 44 A | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 100 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 22 milliohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V | — |
| Boîtier | PG-WHTFN-9 (Source-Down) | PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | OptiMOS 5 trench |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 190 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 319 W |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 3.9 mOhm |
| Gate Charge Qg typical | — | 74 nC |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | 20 V |
| Température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Cooling | — | Top-side cooled (case above PCB) |