IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IPTC039N15NM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE220N15NM5CGSCATMA1 por Infineon e IPTC039N15NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQE220N15NM5CGSCATMA1 IPTC039N15NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,18 $4,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current at Ta (ID) 7 A —
Continuous Drain Current at Tc (ID) 44 A —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 100 W —
On-Resistance (RDS(on)) 22 milliohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V —
Encapsulamento PG-WHTFN-9 (Source-Down) PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5, Source-Down OptiMOS 5 trench
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Status RoHS Compliant Compliant
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 190 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 319 W
On-Resistance RDS(on) typical — 3.9 mOhm
Gate Charge Qg typical — 74 nC
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — 20 V
Temperatura de operação — -55 C to +175 C (junction)
Cooling — Top-side cooled (case above PCB)

Fichas técnicas e recursos

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