IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IQE008N03LM5CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE220N15NM5CGSCATMA1 par Infineon et IQE008N03LM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ ActifInfineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | IQE008N03LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,18 | $2,10 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | 7 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | 44 A | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 100 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 22 milliohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V | 2 V (typ) |
| Boîtier | PG-WHTFN-9 (Source-Down) | PG-WHTFN-9 (WHTFN) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (top + bottom cooling) |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) Max | — | 252 A (per channel, case-temperature limited) |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 0.85 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Polarity | — | N-Channel |
| Nombre de broches | — | 9 (WHTFN with exposed thermal pads) |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) |
| Sans halogène | — | Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) |