IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQE065N10NM5CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 par Infineon et IQE065N10NM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | IQE065N10NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,78 | $1,28 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 54 A | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 422 A | — |
| RDS(on) Max | 0.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 2 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Boîtier | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| Technology | Silicon N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5 trench-gate |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | — | 85 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 6.5 mOhm |
| Power Dissipation at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC | — | 100 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |