IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQEH54NE2LM7UCGATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N019GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,95 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 7
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 406 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 150 W —
Boîtier PG-TTFN-9-3 PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (typical MOSFET range) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Fiches techniques et ressources

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