IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQEH54NE2LM7UCGATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,95 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 7
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 406 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 150 W —
Encapsulamento PG-TTFN-9-3 PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (typical MOSFET range) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Fichas técnicas e recursos

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