IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQEH68NE2LM7UCGATMA1 par Infineon et IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ ActifInfineon
IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V 440A OptiMOS 7 N-FET | Infineon
IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 | IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,35 | $1,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 47 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | 338 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Threshold Voltage Type | Logic-level (per OptiMOS 7 family) | — |
| On-Resistance Family | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) | — |
| Boîtier | PG-TTFN-9-3 (surface mount) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Statut RoHS | Compliant (per distributor listing) | Compliant |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS 7 (trench) |
| Packaging | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 440 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 57 A |
| Power Dissipation at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC | — | 150 W |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.46 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Polarity / Channel Type | — | Single N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement-mode |
| Topology Suitability | — | Hard- and soft-switching |