IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQEH68NE2LM7UCGATMA1 par Infineon et ISZ230N10NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ Actif
Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,35 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc 338 A —
Power Dissipation (PD) @ Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) @ Tc 130 W —
Gate Threshold Voltage Type Logic-level (per OptiMOS 7 family) —
On-Resistance Family RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) -55 °C to +150 °C (junction)
Boîtier PG-TTFN-9-3 (surface mount) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant (per distributor listing) Compliant
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Packaging Tape & Reel (per ATMA1 suffix) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Family — OptiMOS 6 (100V class)

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