IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 比較

詳細な並列比較: IQEH68NE2LM7UCGATMA1 メーカー: Infineon および ISZ230N10NM6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ 生産中
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ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.35 $0.71
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc 338 A —
Power Dissipation (PD) @ Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) @ Tc 130 W —
Gate Threshold Voltage Type Logic-level (per OptiMOS 7 family) —
On-Resistance Family RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) -55 °C to +150 °C (junction)
パッケージ PG-TTFN-9-3 (surface mount) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL Level] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS ステータス Compliant (per distributor listing) Compliant
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Packaging Tape & Reel (per ATMA1 suffix) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Family — OptiMOS 6 (100V class)

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