IQEH84NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQEH84NE2LM7UCGATMA1 par Infineon et IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQEH84NE2LM7UCGATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,49 | $1,78 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 7 (Trench MOSFET) | Silicon N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 107 W | — |
| RDS(on) @ VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] | — |
| RDS(on) @ VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | PG-TTFN-9-3 (surface mount, source-down) | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | [DATA_NEEDED: pin count from datasheet pinout] | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Switching Application | Hard- and soft-switching | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 422 A |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |