IR2110SPBF vs IR2101PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2110SPBF par Infineon et IR2101PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2110SPBF IR2101PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,98 $0,78
Fonction Half-bridge gate driver —
Topologie High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
Type de montage Surface Mount Through-Hole
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Configuration — Half-Bridge (High and Low Side)
Input Type — Non-Inverting
Number of Drivers — 2 (High-Side + Low-Side)
Nombre de sorties — 2
Supply Voltage (VCC/VBS) — 10 V to 20 V
Peak Source Current — 0.21 A (210 mA)
Peak Sink Current — 0.36 A
Offset (High-Side) Voltage — Up to +600 V
Propagation Delay — 160 ns
Undervoltage Lockout — Yes
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Packaging — Tube
Statut RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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