IR2110SPBF vs IR2101PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2110SPBF por Infineon y IR2101PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2110SPBF IR2101PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,98 $0,78
Función Half-bridge gate driver —
Topología High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Encapsulado 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Through-Hole
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Configuration — Half-Bridge (High and Low Side)
Input Type — Non-Inverting
Number of Drivers — 2 (High-Side + Low-Side)
Número de salidas — 2
Supply Voltage (VCC/VBS) — 10 V to 20 V
Peak Source Current — 0.21 A (210 mA)
Peak Sink Current — 0.36 A
Offset (High-Side) Voltage — Up to +600 V
Propagation Delay — 160 ns
Undervoltage Lockout — Yes
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Packaging — Tube
Estado RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)

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