IR2304STRPBF vs IR2101STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2304STRPBF par Infineon et IR2101STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2304STRPBF IR2101STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,39 $0,68
Fonction Half-bridge gate driver —
Configuration High-side and low-side (half-bridge) Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Nombre de sorties 2 —
Logic Input Non-inverting, single input —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Offset Voltage (Voffset) Up to 600 V —
Output Source Current (typ.) 0.29 A —
Output Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 220 ns (turn-on and turn-off, matched) —
Rise / Fall Time [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Deadtime Integrated (matched delay, prevents shoot-through) —
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL —
dV/dt Immunity Yes (high-side channel) —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40 C to +125 C
Boîtier 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS PbF suffix indicates lead-free / RoHS compliant Compliant
Packaging Tape and Reel (TR) —
Number of Drivers — 2
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
Niveau MSL — MSL 3

Fiches techniques et ressources

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