IRF1010ESTRLPBF vs STB60NF06T4 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1010ESTRLPBF par Infineon et STB60NF06T4 par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1010ESTRLPBF STB60NF06T4
Marque Infineon STMicroelectronics
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,80
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET planar —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 84 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 200 W —
On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V 12 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 86.6 nC —
Operating Mode Enhancement —
Drive Voltage 10 V (standard level) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Qualification JEDEC standard qualified —
Structure Planar cell (wide SOA) —
Avalanche Testing 100% avalanche energy tested —
Sourcing Multi-vendor, broad distribution availability —
Pb-Free / RoHS PBF (Pb-free) suffix —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 60 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 240 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 14 mΩ (typ), 18 mΩ (max)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Charge (Qg) — 60 nC (typ)
Input Capacitance (Ciss) — 2200 pF (typ)
Output Capacitance (Coss) — 350 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 120 pF (typ)
Avalanche Energy (EAS) — 300 mJ
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +175°C
Statut RoHS — Compliant
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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