IRF1010NPBF-VB vs IRF1010EPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1010NPBF-VB par VBsemi Elec et IRF1010EPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

VBsemi Elec
IRF1010NPBF-VB IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1010NPBF-VB IRF1010EPBF
Marque VBsemi Elec Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,25 $0,45
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage VDSS 55 V —
Continuous Drain Current ID 85 A (Tc) —
Power Dissipation PD 180 W (Tc) —
On-Resistance RDS(on) 0.014 Ohm (14 mOhm) —
Total Gate Charge Qg 80 nC —
Gate-Source Voltage VGSS +/-20 V —
Operating Mode Enhancement —
Number of Channels 1 —
Boîtier TO-220AB (Through Hole) TO-220AB
Type de montage Through Hole Through Hole
Configuration Single FET Single FET
Process Technology Planar HEXFET, Advanced Process Technology —
Recommended Switching Frequency Below 100 kHz —
Market Qualification Industrial —
Statut RoHS Compliant (Pb-free suffix) RoHS3 Compliant
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 84 A at Tc
Power Dissipation (PD) — 200 W at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 12 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 86.6 nC
Technology — HEXFET Power MOSFET
Niveau MSL — 3 (168 Hours)
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Rise Time / Fall Time — [DATA_NEEDED: switching times]
Thermal Resistance (RthJC) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: input capacitance]

Fiches techniques et ressources

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