IRF1010NPBF-VB vs IRF1010EPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF1010NPBF-VB por VBsemi Elec y IRF1010EPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

VBsemi Elec
IRF1010NPBF-VB IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF1010NPBF-VB IRF1010EPBF
Marca VBsemi Elec Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,25 $0,45
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage VDSS 55 V —
Continuous Drain Current ID 85 A (Tc) —
Power Dissipation PD 180 W (Tc) —
On-Resistance RDS(on) 0.014 Ohm (14 mOhm) —
Total Gate Charge Qg 80 nC —
Gate-Source Voltage VGSS +/-20 V —
Operating Mode Enhancement —
Number of Channels 1 —
Encapsulado TO-220AB (Through Hole) TO-220AB
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Configuration Single FET Single FET
Process Technology Planar HEXFET, Advanced Process Technology —
Recommended Switching Frequency Below 100 kHz —
Market Qualification Industrial —
Estado RoHS Compliant (Pb-free suffix) RoHS3 Compliant
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 84 A at Tc
Power Dissipation (PD) — 200 W at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 12 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 86.6 nC
Technology — HEXFET Power MOSFET
Nivel MSL — 3 (168 Hours)
Temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Rise Time / Fall Time — [DATA_NEEDED: switching times]
Thermal Resistance (RthJC) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: input capacitance]

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