IRF1010NPBF-VB vs IRF1407PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1010NPBF-VB par VBsemi Elec et IRF1407PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

VBsemi Elec
IRF1010NPBF-VB IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1010NPBF-VB IRF1407PBF
Marque VBsemi Elec Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,25 $0,86
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage VDSS 55 V —
Continuous Drain Current ID 85 A (Tc) —
Power Dissipation PD 180 W (Tc) —
On-Resistance RDS(on) 0.014 Ohm (14 mOhm) —
Total Gate Charge Qg 80 nC —
Gate-Source Voltage VGSS +/-20 V —
Operating Mode Enhancement —
Number of Channels 1 —
Boîtier TO-220AB (Through Hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Type de montage Through Hole Through Hole
Configuration Single FET —
Process Technology Planar HEXFET, Advanced Process Technology —
Recommended Switching Frequency Below 100 kHz —
Market Qualification Industrial —
Statut RoHS Compliant (Pb-free suffix) —
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET (stripe-planar MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 130 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 330 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 7.8 mOhm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max]
Gate Charge (Qg) — 160 nC (typical)
Maximum Junction Temperature — 175 C
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Fiches techniques et ressources

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