IRF150DM115XTMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF150DM115XTMA1 par Infineon et BSC019N04LSTATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IRF150DM115XTMA1 IRF150DM115XTMA1 - 150V OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IRF150DM115XTMA1 - 150V OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IRF150DM115XTMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF150DM115XTMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,20 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRF150DM115XTMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel, normal level) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) [DATA_NEEDED: ID @ 25C and TC] A —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] V —
Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: total QG @ VGS=10V] nC —
Avalanche Rated 100% avalanche tested Yes
Boîtier DirectFET (double-side cooled, ultra-thin) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Polarity / Channel Type N-Channel —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj max] C -55 C to +150 C
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Statut RoHS Compliant (lead-free per datasheet) Compliant
Gate Drive Level Normal-level (10 V drive) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes

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