IRF3205STRLPBF vs IRLL024ZTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF3205STRLPBF par Infineon et IRLL024ZTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF3205STRLPBF IRLL024ZTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,02 $0,46
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 110 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 390 A —
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) 8 mΩ max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 97.3 nC typical —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 200 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (Tj) —
Boîtier TO-263-3 (D2PAK) SOT-223 (TO-261-4)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) —
Technology HEXFET (advanced process) HEXFET Power MOSFET (trench-gate)
Packaging Tape & Reel (STRL) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) max — 55 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 60 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO)
Total Gate Charge (Qg) typical — 7 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 1 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55 °C to +150 °C
Niveau MSL — 1 (unlimited floor life)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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