IRF4905LPBF vs IRF3205STRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF4905LPBF par Infineon et IRF3205STRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF4905LPBF IRF3205STRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,98 $1,02
Polarity P-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 390 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C 200 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
Rise Time (tr) typ [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (tf) typ [DATA_NEEDED: fall time] —
Boîtier TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin TO-263-3 (D2PAK)
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (advanced process)
Type de montage Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PbF suffix) —
Avalanche Rated Yes —
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 110 A
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) — 8 mΩ max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 97.3 nC typical
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 200 W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C (Tj)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (STRL)

Fiches techniques et ressources

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