IRF4905LPBF vs IRF3205STRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRF4905LPBF メーカー: Infineon および IRF3205STRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF - 55V 110A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205STRLPBF - 55V 110A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205STRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF4905LPBF IRF3205STRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.98 $1.02
Polarity P-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 390 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C 200 W —
動作接合温度 -55C to +150C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
Rise Time (tr) typ [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (tf) typ [DATA_NEEDED: fall time] —
パッケージ TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin TO-263-3 (D2PAK)
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (advanced process)
実装タイプ Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PbF suffix) —
Avalanche Rated Yes —
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 110 A
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) — 8 mΩ max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 97.3 nC typical
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 200 W
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C (Tj)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (STRL)

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