IRF4905LPBF vs IRF4905PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF4905LPBF par Infineon et IRF4905PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF4905LPBF IRF4905PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,98 $0,95
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C 200 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
Rise Time (tr) typ [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (tf) typ [DATA_NEEDED: fall time] —
Boîtier TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin TO-220AB (through-hole)
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Type de montage Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PbF suffix) Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Avalanche Rated Yes —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -74 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC — 200 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C (junction)
Pin Configuration — Gate - Drain - Source (left to right)
Niveau MSL — 1 (not moisture-sensitive for TO-220)

Fiches techniques et ressources

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