IRF4905SPBF vs IRF4905LPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF4905SPBF par Infineon et IRF4905LPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF4905SPBF IRF4905LPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $0,98
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm @ VGS = -10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 170 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C -55C to +150C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] —
Boîtier D2PAK (TO-263) surface mount TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin
Type de montage Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET, planar cell HEXFET (IR MOSFET)
Total Gate Charge (Qg) 120 nC (typical per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Statut RoHS Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) —
Qualification JEDEC standard —
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — -74 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C — 200 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
Rise Time (tr) typ — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (tf) typ — [DATA_NEEDED: fall time]
Lead-Free / RoHS — Yes (PbF suffix)
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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