IRF4905STRRPBF vs IRF4905SPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF4905STRRPBF par Infineon et IRF4905SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF4905STRRPBF | IRF4905SPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,94 | $1,18 |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -74 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 20 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | -2.0 V to -4.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC | 120 nC (typical per Mouser listing) |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 170 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | -55 C to +150 C |
| Boîtier | D2PAK (TO-263-3) | D2PAK (TO-263) surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Advanced Process) | HEXFET, planar cell |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | -42 A |
| On-Resistance (RDS(on) max) | — | 20 mOhm @ VGS = -10V |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 170 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Qualification | — | JEDEC standard |