IRF4905STRRPBF vs IRF5305STRRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF4905STRRPBF par Infineon et IRF5305STRRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF4905STRRPBF | IRF5305STRRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,94 | $0,62 |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -74 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 20 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 170 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| Boîtier | D2PAK (TO-263-3) | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Advanced Process) | HEXFET (Advanced Process) |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Type de transistor | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | -31 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 60 mOhm |
| Power Dissipation (TC) | — | 110 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free suffix) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |