IRF5305STRLPBF vs IRFS4010TRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF5305STRLPBF par Infineon et IRFS4010TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF5305STRLPBF | IRFS4010TRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,92 | $0,86 |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -31 A | 180 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] | — |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 60 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing) | 143 nC |
| Maximum Power Dissition at Tc | 110 W | — |
| Maximum Power Dissipation at TA | 3.8 W | — |
| Boîtier | TO-263 / D2PAK (surface mount) | D2PAK (TO-263AB), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] | — |
| Technology | HEXFET (fifth generation), IR MOSFET | IR MOSFET (HEXFET) |
| Packaging | Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free suffix PBF) | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.7 mOhm |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | Plus or minus 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 375 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Gate Drive Voltage | — | 10 V (normal level, optimized) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Qualification | — | JEDEC standard |