IRF5305STRLPBF vs IRFS4010TRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF5305STRLPBF от Infineon и IRFS4010TRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF - 100V 180A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IRFS4010TRLPBF - 100V 180A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IRFS4010TRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF5305STRLPBF IRFS4010TRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,92 $0,86
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -31 A 180 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] —
RDS(on) max at VGS=-10V 60 mOhm —
RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing) 143 nC
Maximum Power Dissition at Tc 110 W —
Maximum Power Dissipation at TA 3.8 W —
Корпус TO-263 / D2PAK (surface mount) D2PAK (TO-263AB), surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] —
Technology HEXFET (fifth generation), IR MOSFET IR MOSFET (HEXFET)
Packaging Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix PBF) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V — 4.7 mOhm
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — Plus or minus 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 375 W
Рабочая температура перехода — -55C to +175C
Gate Drive Voltage — 10 V (normal level, optimized)
Статус RoHS — Compliant
Уровень MSL — 1
Qualification — JEDEC standard

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену