IRF540NSTRLPBF vs IRF540 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF540NSTRLPBF par Infineon et IRF540 par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF540NSTRLPBF | IRF540 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | STMicroelectronics |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,74 | $0,55 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | Avalanche-rugged power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 110 A (per datasheet pulse curve) | — |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | 44 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 47.3 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 130 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | D2PAK (TO-263), surface mount | TO-220 (through hole) |
| Type de montage | Surface Mount | Through Hole |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | — |
| Statut RoHS | Compliant (Pb-free) | unknown |
| Avalanche Energy Rated | Yes (HEXFET ruggedized) | — |
| FET Type | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 22 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 85 W (Tc) |
| RDS(on) Typical | — | 0.050 Ohm |
| RDS(on) Maximum at 10 V Gate Drive | — | 77 mOhm (family typ.) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Total Gate Charge] |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche rated, 100% avalanche tested, data at 100C |
| Configuration | — | Single |
| Gate Drive Recommendation | — | 10 V for full enhancement |